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IXFT120N25T
IXFH120N25T
180
160
Fig. 7. Input Admittance
180
160
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
140
T J = 125oC
140
120
100
25oC
- 40oC
120
100
25oC
125oC
80
60
40
20
0
80
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
9
8
7
6
5
V DS = 125V
I D = 60A
I G = 10mA
150
T J = 125oC
4
100
50
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
100,000
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area @ T C = 25oC
R DS(on) Limit
1,000
Coss
100
10
25μs
100μs
100
10
Crss
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V CE - Volts
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